半导体阴极发光（CL）成像：原理、成像模式与应用

在半导体材料与光电器件研究中，仅观察形貌往往不足以理解局部发光差异。阴极发光（Cathodoluminescence，简称 CL）利用电子束激发材料并收集其发射的光，将显微成像与光谱信息结合，为分析材料的局部光学性质提供更多线索。

本期 Delmic 原厂网络研讨会围绕“半导体阴极发光成像”介绍基本原理、硬件配置、成像参数与应用案例。视频为英语讲解，配有中文字幕，便于相关研究人员学习与回看。

你将了解什么？

• CL 信号如何产生，以及在扫描电子显微镜（SEM）中收集 CL 信号的基本方式。

• CL 强度成像与高光谱成像各自提供哪些信息，以及如何结合空间位置与光谱观察材料差异。

• 如何通过改变电子束加速电压调节探测深度，研究半导体中的埋藏结构。

• CL 在薄膜太阳能电池、发光半导体结构等样品研究中的应用示例。

• 发光寿命测量、角分辨成像与偏振分析等拓展方法。